芯片電容在環(huán)形器中的應(yīng)用

進(jìn)入21世紀(jì)以來，人類通信技術(shù)取得飛速發(fā)展，環(huán)形器作為一種可以單向不可逆?zhèn)鬏敻哳l信號的器件因其的非互易性與可以共用天線等特征，已成為通信系統(tǒng)和雷達(dá)系統(tǒng)中重要的一環(huán)，可顯著提高通信系統(tǒng)和雷達(dá)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。

環(huán)形器的典型結(jié)構(gòu)由鐵氧體與永磁體組成，鐵氧體材料在恒定直流磁場與外加高頻波場的共同作用下產(chǎn)生的旋磁特性使得其能實現(xiàn)單向傳輸信號的需求。隨著電路的集成化，以單片集成放大器為核心與無源器件組成移相電路實現(xiàn)單向傳輸信號功能的集成環(huán)形器也相繼問世。為提高環(huán)形器的穩(wěn)定性，常使用電容等無源器件耦合環(huán)形器與前后級的電路，電容的接入可以隔離低頻信號與信號的直流分量以提高電路的抗干擾能力，同時電容也能與電阻電感等其他無源器件組成特定功能的外圍電路與環(huán)形器耦合形成特定功能的環(huán)形器電路如具有濾波特性的環(huán)形器，諧波抑制環(huán)形器等。

陶瓷電容成為電容家族中的主流，其中，芯片電容（單層陶瓷電容成）為陶瓷電容器件發(fā)展的一個重要方向，與多層陶瓷電容相比，單層陶瓷電容可以避免多個介質(zhì)層之間的電流回路，具有更優(yōu)良的品質(zhì)因數(shù)和高頻特性，在體積上也更具有優(yōu)勢。單層陶瓷電容如今已廣泛運用于5G通信技術(shù)，光通信，有源相控陣?yán)走_(dá)等尖端通信技術(shù)當(dāng)中。

隨著電子元器件的小型化和表面安裝技術(shù)的發(fā)展，微型環(huán)形器在通訊領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，因尺寸小和高頻特性的需求，作為耦合調(diào)頻的電容，芯片電容獨居優(yōu)勢。